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告別(bie)傳(chuan)統(tong)制造(zao)!看(kan)多(duo)材料(liao)4D打(da)印(yin)如(ru)何(he)實(shi)現(xian)高精度(du)陶(tao)瓷超構(gou)透鏡(jing)制造(zao)
更(geng)新時間:2025-11-10
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隨著(zhe)5G、毫(hao)米(mi)波(bo)通信和太赫茲通信等高頻通信技術的(de)快速(su)發展(zhan),對(dui)天(tian)線性能提出(chu)了(le)更(geng)高要求,尤其是(shi)在增(zeng)益(yi)、帶寬與(yu)小型化(hua)方(fang)面。梯(ti)度(du)折射(she)率超構(gou)透鏡(jing)因(yin)其無(wu)需復(fu)雜(za)饋(kui)電網絡(luo)即(ji)可實(shi)現(xian)高增(zeng)益(yi)波(bo)束(shu)輻(fu)射(she),逐漸成為(wei)研(yan)究(jiu)熱點(dian)。
陶瓷材料(liao)具有(you)高(gao)介(jie)電常(chang)數(shu)、低(di)介電損耗、優(you)異(yi)的(de)機(ji)械(xie)性能和環境穩(wen)定(ding)性,是(shi)制造(zao)高(gao)頻超構(gou)透鏡(jing)的(de)理(li)想材料。數(shu)字(zi)光處理(li)3D打(da)印(yin)技術因(yin)其高(gao)分(fen)辨(bian)率和大成型尺寸,適(shi)合制造(zao)結構(gou)復(fu)雜(za)的(de)陶瓷(ci)器(qi)件(jian)。然而,陶(tao)瓷(ci)顆粒(li)對(dui)紫(zi)外光的(de)散射(she)效(xiao)應嚴重影響(xiang)了打(da)印(yin)精(jing)度,尤其在(zai)W波(bo)段(duan)(75–110 GHz)中(zhong),單(dan)元(yuan)結構(gou)尺寸小至(zhi)微米(mi)級,對制造(zao)工(gong)藝(yi)提出(chu)了(le)高(gao)要求。
近(jin)日(ri),南(nan)方(fang)科技大學(xue)的(de)葛锜/王榮團隊在國(guo)際(ji)期刊《International Journal of Extreme Manufacturing》上發表了(le)最新研(yan)究(jiu),論文題為(wei)“Digital light processing 3D printing of ceramics for W-band gradient refractive index metalens"。本(ben)研(yan)究(jiu)提出(chu)了(le)壹種(zhong)基(ji)於(yu)多(duo)材料(liao)4D打(da)印(yin)技術制備(bei)陶(tao)瓷梯(ti)度折射(she)率超構(gou)透鏡(jing)的(de)方(fang)法(fa),通過優(you)化陶(tao)瓷(ci)漿(jiang)料(liao)配(pei)方(fang)並引(yin)入(ru)尺寸補(bu)償策(ce)略(lve),顯(xian)著(zhu)提升(sheng)了打(da)印(yin)精(jing)度。研(yan)究(jiu)人員(yuan)結合幾(ji)何(he)光學(xue)與S參(can)數(shu)反(fan)演法(fa),設(she)計(ji)了(le)包(bao)含(han)Y形和圓孔兩種(zhong)亞波(bo)長(chang)單元(yuan)結構(gou)的(de)超構(gou)透鏡(jing),最小特征(zheng)尺寸為(wei)160 μm。最終(zhong)制備(bei)出(chu)的(de)陶瓷(ci)超構(gou)透鏡(jing)在W波段(duan)表(biao)現(xian)出(chu)優(you)異(yi)的(de)輻射(she)性能:最大增(zeng)益(yi)提升(sheng)達18.4 dBi,波束(shu)偏(pian)轉(zhuan)角度為(wei)±30°,相(xiang)對帶寬達37.84%,展(zhan)現(xian)出(chu)在(zai)高(gao)頻通信中(zhong)的(de)潛(qian)在(zai)應用價值。

如(ru)圖1-2所(suo)示,研(yan)究(jiu)中制備(bei)了(le)以Al₂O₃為主(zhu)體(ti)、添(tian)加(jia)光(guang)吸(xi)收劑Sudan Orange G的(de)陶瓷(ci)漿(jiang)料(liao)。通過光流變(bian)實(shi)驗發現,適(shi)量光(guang)吸(xi)收劑的(de)加(jia)入(ru)可(ke)延(yan)遲凝膠時間,提升(sheng)打(da)印(yin)可(ke)控(kong)性。打(da)印(yin)過程中,過度固(gu)化效(xiao)應導致線寬和固(gu)化深(shen)度(du)偏離設(she)計(ji)值,通過系統(tong)調(tiao)整曝(pu)光(guang)能量與漿(jiang)料(liao)成分(fen),顯(xian)著(zhu)減(jian)小了尺寸偏(pian)差。

圖1. 陶瓷(ci)GRIN超構(gou)透鏡(jing)的(de)制備(bei)流程(cheng)示意圖。

圖2. 漿(jiang)料(liao)的(de)流變(bian)與(yu)光固(gu)化性能。
本(ben)次研(yan)究(jiu)系統(tong)評(ping)估(gu)了(le)打(da)印(yin)過程中的(de)過度固(gu)化效(xiao)應。圖3(a)和(b)顯(xian)示,隨著曝光能量增(zeng)加(jia),水(shui)平方(fang)向的(de)線寬偏(pian)差(cha)增(zeng)大,而(er)添(tian)加(jia)光(guang)吸(xi)收劑可顯(xian)著(zhu)減(jian)小此(ci)偏差(cha)。圖3(c)和(d)則表明,光(guang)吸(xi)收劑同樣(yang)能有效(xiao)控(kong)制垂直方(fang)向的(de)固(gu)化深(shen)度(du),避(bi)免(mian)過度穿透。

圖3. 陶瓷(ci)漿(jiang)料(liao)的(de)固(gu)化與(yu)過度固(gu)化效(xiao)應評(ping)估(gu)。
為(wei)校(xiao)正打(da)印(yin)過程中因(yin)過度固(gu)化引(yin)起的(de)尺寸偏(pian)差,研(yan)究(jiu)團隊提出(chu)了(le)針(zhen)對圓孔(如(ru)圖4所(suo)示)和薄壁(bi)結構(gou)(如(ru)圖5所(suo)示)的(de)尺寸補(bu)償方(fang)法(fa)。通過預先(xian)調(tiao)整設(she)計(ji)尺寸,使(shi)得打(da)印(yin)後的(de)實(shi)際(ji)尺寸更(geng)接近(jin)目標值,最終(zhong)將尺寸偏(pian)差控(kong)制在(zai)30 μm以內(nei)。

圖4. 圓形孔的(de)尺寸補(bu)償設(she)計(ji)與(yu)實(shi)測結果(guo)。

圖5. 薄壁(bi)結構(gou)的(de)尺寸補(bu)償設(she)計(ji)與(yu)實(shi)測結果(guo)。
如(ru)圖6示,打(da)印(yin)後的(de)生(sheng)坯(pi)經(jing)過在氬氣氣(qi)氛(fen)中(zhong)分(fen)段(duan)升(sheng)溫脫(tuo)脂,以及在空氣(qi)中1600°C燒結,最(zui)終(zhong)獲(huo)得致密(mi)的(de)Al₂O₃陶瓷(ci)件(jian)。XRD分(fen)析顯(xian)示燒結前(qian)後均(jun)為(wei)α-Al₂O₃相(xiang),相(xiang)對密(mi)度達95.5%,有利於(yu)降(jiang)低(di)介(jie)電損耗。

圖6. 熱重(zhong)分(fen)析與(yu)燒結工(gong)藝(yi)曲線。
基(ji)於(yu)離散化(hua)折射(she)率分(fen)布,設(she)計(ji)了(le)由(you)20個同心環組成的(de)平面超構(gou)透鏡(jing)(如(ru)圖7所(suo)示)。經(jing)過微觀(guan)結構(gou)表(biao)征(zheng),該平面超構(gou)透鏡(jing)從打(da)印(yin)的(de)生(sheng)坯(pi)(圖8a)、脫(tuo)脂後(圖8b)到燒(shao)結後的(de)最終(zhong)白色(se)陶瓷件(jian)(圖8c)。SEM圖像(xiang)清晰顯(xian)示了燒結後復(fu)現良(liang)好的(de)圓孔(圖8g)和Y形(圖8h)單元(yuan)結構(gou)。圖8(i)的(de)尺寸對(dui)比(bi)表(biao)明,經(jing)補(bu)償(chang)後所(suo)有(you)單(dan)元(yuan)的(de)實(shi)際(ji)尺寸與(yu)設(she)計(ji)值偏差(cha)均(jun)在(zai)30 μm以內(nei)。

圖7. 超構(gou)透鏡(jing)設(she)計(ji)原(yuan)理(li)。

圖8. 超構(gou)透鏡(jing)的(de)制備(bei)過程與微觀(guan)結構(gou)表(biao)征(zheng)。
如(ru)圖9的(de)仿真(zhen)結果(guo)表明,該(gai)透鏡(jing)在W波段(duan)能顯(xian)著(zhu)提升(sheng)天(tian)線增(zeng)益(yi)並(bing)收窄波(bo)束(shu)。微波暗室實(shi)測結果(guo)(如(ru)圖10所(suo)示)驗證了(le)其優(you)異(yi)的(de)性能,包(bao)括(kuo)高(gao)達18.4 dBi的(de)增(zeng)益(yi)提升(sheng)、±30°的(de)波束(shu)偏(pian)轉(zhuan)能力(li)以及低於(yu)6°的(de)半(ban)功率波束(shu)寬(kuan)度。

圖9. 超構(gou)透鏡(jing)的(de)仿真(zhen)輻射(she)場分(fen)布。

圖10. 輻射(she)性能測試結果(guo)與文獻對(dui)比(bi)。